Генераторы мощных (100-1000 МВт) линейно поляризованных однонаправленных волновых пучков сверхширокополосного (с соотношением крайних частот в спектре ≥ 4) электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса для сверхширокополосной радиолокации и испытания электронных систем.
n/n | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Длительность импульса напряжения1, нс |
3 | 2 | 1 | 0.5 | 3 | 2 | 1 | 0.5 |
Амплитуда импульса напряжения, кВ |
100 | 230 | 200 | 200 | 200 | 230 | 200 | 200 |
Частота повтор.2, Гц |
100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Ширина диаграммы3, градусы |
120x120 | 80x90 | 80x90 | 90x110 | 60x60 | 20x20 | 20x20 | 20x20 |
Мощность излучения, МВт |
120 | 1000 | 780 | 600 | - | - | - | - |
Эффектив. потенциал EpR, кВ |
100 | 400 | 300 | 260 | 500 | 1700 | 800 | 700 |
Габариты Длина, см |
140 | 250 | 230 | 220 | 320 | 330 | 300 | 280 |
Габариты Ширина, см |
40 | 60 | 50 | 50 | 130 | 130 | 120 | 50 |
Габариты Высота, см |
180 | 170 | 170 | 170 | 230 | 220 | 190 | 170 |
Вес, кг | 200 | 300 | 300 | 300 | 700 | 400 | 350 | 320 |
Потребл. мощность, кВт |
0.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 3.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
Рис. | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
1 Длительность биполярного импульса напряжения по уровню амплитуды 0.1.
2 Частота повторения регулируется в пределах 1-100 Гц.
3 Ширина диаграммы направленности по половинному уровню пиковой мощности в горизонтальной и вертикальной плоскостях.
Новизна предлагаемых источников состоит в использовании принципиально новых комбинированных излучателей и созданных на их основе антенных решеток, возбуждаемых мощными биполярными импульсами напряжения. Эффективность преобразования электрических импульсов в электромагнитное излучение по энергии и пиковой мощности достигает 90%.
Аналоги авторам разработки не известны.
Проведенные испытания показали, что разработанные источники позволяют с высокой степенью надежности и воспроизводимости результатов генерировать импульсы сверхширокополосного излучения с параметрами указанными в таблице
Продажа разработанных источников сверхширокополосного излучения.
Разработка новых источников в соответствии с техническим заданием заказчика.
Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3
КОШЕЛЕВ Владимир Ильич
заведующий лабораторией, профессор,
доктор физико-математических наук
koshelev@lhfe.hcei.tsc.ru
+8 3822 491915