СМИ о нас


27.06.2023
ИСЭ СО РАН признан экспортером года в сфере высоких технологий
21.06.2023
Томская область актуализирует экспортную стратегию. В специальной номинации «Экспортер года в сфере высоких технологий. Крупный бизнес» лауреатом признан Институт сильноточной электроники СО РАН.
09.06.2023
В ЛЭТИ конференция Вакуумная техника и технологии – 2022
09.06.2023
Томский научный центр СО РАН предоставил здание для размещения центра компетенций в области синхротронных исследований
09.06.2023
Задачи на перспективу. От нового способа перевозки донорского сердца до универсальных энергетических систем
09.06.2023
В Томске разрабатывают оборудование для ЦКП СКИФ
01.06.2023
Томский научный центр СО РАН предоставил здание для размещения центра компетенций в области синхротронных исследований
28.04.2023
Установка для нанесения тонкопленочного электролита на твердооксидные топливные элементы
27.04.2023
Томские электрофизики создали установку для нанесения тонкопленочного электролита на твердооксидные топливные элементы
27.03.2023
Молодые ученые ИСЭ СО РАН разработают источник электронов с плазменным катодом для обработки сложных поверхностей
20.03.2023
Молодые ученые ИСЭ СО РАН разработают источник электронов с плазменным катодом для обработки сложных поверхностей
20.03.2023
Физические механизмы стабилизации режимов генерации электронного пучка изучат молодые ученые из ИСЭ СО РАН
07.03.2023
Плазма, кедры и новые материалы
17.02.2023
ИСЭ СО РАН создаст экспериментальную станцию для Сибирского кольцевого источника фотонов
15.02.2023
Президент наградил томского физика Николая Ратахина орденом Почета
15.02.2023
В формате неформального общения в Доме ученых прошла встреча лицеистов с научными работниками
15.02.2023
Ученые удостоены государственных наград
03.02.2023
Добиться термоядерного зажигания и изучить строение коричневых карликов поможет уникальный эксперимент
02.02.2023
Эксперимент томских физиков поможет добиться термоядерного зажигания и изучить строение коричневых карликов
01.02.2023
Томский институт изготовит оборудование для станции ЦКП «СКИФ» за 1,1 млрд рублей
09.01.2023
Томские ученые реализуют комплексный подход к получению полимерных покрытий
28.12.2022
Навыки научных докладов на русском и английском языках отточили молодые ученые
08.12.2022
Томские ученые создали новый метод формирования упрочняющих покрытий с содержанием бора
07.12.2022
Создан перспективный электронно-ионно-плазменный метод формирования борсодержащих покрытий
07.12.2022
Сибирские ученые приручили капризный бор
02.12.2022
Сибирские ученые стали лауреатами Макариевской премии 2022 года в области естественных наук
25.11.2022
Названы лауреаты Макариевских премий в области естественных наук 2022 года
16.11.2022
Сложная и комплексная задача. В России наладят производство отечественных детекторов синхротронного излучения
06.11.2022
Владимир Мазур поручил разработать программу создания новой подотрасли микроэлектроники
03.11.2022
Учителя Академического лицея познакомились с направлениями исследований нескольких научных лабораторий
02.11.2022
Томские ученые в составе международного коллектива разрабатывают технологию очистки воды при помощи плазмы
02.11.2022
Технология очистки воды при помощи плазмы
26.10.2022
В Томской области подвели итоги фестиваля НАУКА 0+
19.10.2022
Вести. Томск. Интервью. Илья Романченко о проекте "СКИФ"
18.10.2022
Фестиваль НАУКА 0+ в Томской области собрал 4,5 тыс участников
17.10.2022
Фестиваль НАУКА 0+ в Томской области собрал 4,5 тысячи участников


1 2 3 4 5 6


Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru