до 12 декабря 2023 г.
заведующий лабораторией высокочастотной электроники (0,2 ставки)
требования к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук, наличие публикаций в области высокочастотной электроники, опыта работы на руководящей должности, опыта руководства НИОКТР по тематике лаборатории
заведующий лабораторией низкотемпературной плазмы (0,2 ставки)
требования к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук, наличие публикаций в области физики низкотемпературной плазмы, физики газового разряда, опыта работы на руководящей должности, опыта руководства НИОКТР по тематике лаборатории
заведующий лабораторией плазменной эмиссионной электроники (0,2 ставки)
требования к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук, наличие публикаций в области плазменной эмиссионной электроники, опыта работы на руководящей должности, опыта руководства НИОКТР по тематике лаборатории
научный сотрудник в лаборатории плазменной эмиссионной электроники (0,6 ставки)
требования к претенденту: наличие опыта научной работы не менее 3 лет, участие в НИОКТР и наличие публикаций по тематике: генерация низкотемпературной плазмы и пучков заряженных частиц, использование электронных пучков для модификации поверхностного слоя твердых тел
научного сотрудника в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности (1,0 ставки)
требования к претенденту: наличие опыта научной работы не менее 3 лет, участие в НИОКТР и наличие публикаций по тематике: ионно-плазменное нанесение покрытий и модификация поверхностного слоя твердых тел, исследование низкотемпературной плазмы.
Прием заявок от претендентов на сайте ученые-исследователи.рф
Дата размещения 28.10.2023
Дата окончания приема заявок 12.12.2023
Конкурс состоится 27.12.2023 в г. Томске, пр. Академический, 2/3
до 12 декабря 2023 г.
младший научный сотрудник (0,25 ставки) в лабораторию плазменной эмиссионной электроники
требования к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике: источники электронов с полым катодом, их применение в научных и технологических целях
Прием заявок на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе
Дата размещения 28.10.2023
Дата окончания приема заявок 12.12.2023
Конкурс состоится 27.12.2023 в г. Томске, пр. Академический, 2/3
