Объявлен конкурс на замещение должности инженера-исследователя в лаборатории оптических излучений


Объявлен конкурс

до 10 декабря 2024 г.

инженера-исследователя (0,1 ставки) в лаборатории оптических излучений
требования к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике лаборатории.

Прием заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе.
Дата размещения 24.10.2024
Дата окончания приема заявлений 10.12.2024
Конкурс состоится 24.12.2024 в г. Томске, пр. Академический, 2/3

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru