Фирма-изготовитель: Лаборатория плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН
Страна происхождения: Россия
Год выпуска: 2008
Вакуумная электронно-пучковая установка «СОЛО», в основе которой лежит электронный источник с плазменным катодом на основе импульсного дугового разряда низкого давления с сеточной стабилизацией границы катодной плазмы.
Установка полностью автоматизирована и позволяет управлять параметрами электронного источника, вакуумной системы и манипулятора при помощи компьютера. Использование плазменного катода позволяет плавно и независимо друг от друга изменять параметры генерации электронного пучка, что является одним из основных конкурентных преимуществ данного электронного источника. Низкие энергии электронов (до 25 кэВ), используемые в электронном источнике, не требуют дополнительной радиационной защиты, так как генерируемое рентгеновское излучение полностью задерживается стенками камеры, изготовленными из нержавеющей стали. По совокупности параметров (энергия электронов 5–25 кэВ, ток пучка 50–200 А, длительность импульса 10–200 мкс, частота следования импульсов тока пучка 1–10 с-1) данная установка превосходит зарубежные аналоги и может успешно использоваться для модификации поверхности различных материалов и изделий.
Основные характеристики
| Габаритные размеры установки | 1350×2150×2000 мм |
| Размеры вакуумной камеры | 600×500×400 мм |
| Энергия электронов | 5–25 кэВ |
| Длительность импульса тока пучка | 20–200 мкс |
| Частота следования импульсов | до 10 с-1 |
| Плотность энергии пучка | до 100 Дж/см2 |
| Максимальная потребляемая мощность, в зависимости от используемого источника питания ускоряющего напряжения |
2–5 кВт |
| Рабочее давление | 0.01–0.05 Па |
| Рабочий газ | Ar; N2 |
| Диаметр отпечатка | 1–3 см |
| Размеры области сканирования манипулятора | 165×180 мм |
| Расход воды в системе охлаждения не менее чем |
0.5 м3/ч |
Назначение
Полировка, упрочнение металлов и сплавов, включая твердые карбидные сплавы типа WC-Co и TiC-NiCr; повышение коррозионной стойкости и износостойкости поверхности; обработка систем покрытие/подложка с возможностью перемешивания материала покрытия (толщиной ~ 1 мкм) с материалом подложки на глубину до 20 мкм; электронно-пучковая абляция материала мишени с возможностью нанесения покрытий.
Возможности и особенности
- высокая плотность энергии пучка при низком ускоряющем напряжении;
- широкий диапазон параметров;
- независимая регулировка параметров;
- возможность работы в частотном режиме;
- продолжительное время работы без обслуживания;
- обработка поверхности (полировка, упрочнение) металлов, различных сплавов включая твердые карбидные сплавы типа WC-Co и TiC-NiCr;
- повышение коррозионной стойкости и износостойкости поверхности изделий;
- обработка систем покрытие/подложка с возможностью перемешивания материала покрытия (толщиной ~ 1 мкм) с материалом подложки на глубину до 20 мкм;
- электронно-пучковая абляция материала мишени с возможностью нанесения различных покрытий и их последующим перемешиванием с материалом подложки в одном цикле вакуумной откачки;
- обработка изделий сложной формы (штампы, пресс-формы);
- глубина обработки 1 – 20 мкм;
- удобство управления с помощью персонального компьютера;
- нет специальных требований по размещению установки (низкая величина ускоряющего напряжения, не требуется дополнительная радиационная защита);
- использование манипулятора позволяет обрабатывать образцы с большой площадью поверхности или партию мелкоразмерных образцов или изделий;
- средства диагностики позволяют управлять параметрами электронного пучка.
Контактная информация
Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3
Заведующий лабораторией
плазменной эмиссионной электроники
АХМАДЕЕВ Юрий Халяфович
ahmadeev@opee.hcei.tsc.ru
+8 3822 491713
+7 923 408 6284
